電子級多晶硅
粒狀多晶硅
高純硅烷氣
電子級多晶硅
粒狀多晶硅
高純硅烷氣
產品簡介 ：公司采用硅烷西門子法生產的電子級多晶硅料，是國內極少數(shù)有能力量產電子級超純多晶硅的企業(yè)。
電子級多晶硅塊產品CZ與區(qū)熔級硅棒FZ代表公司最高技術水準。產品純度高達11N，且具有高致密性。其中區(qū)熔級產品為國內唯一能夠生產此產品的企
業(yè)，擁有明顯的進口替代能力。
應用領域：CZ塊硅產品主要應用于：半導體直拉單晶生產、特別是大規(guī)模集成電路（CPU、GPU等）用硅片生產，同時還可用于高品質光伏單晶生產領域。
FZ硅棒應用于分立器件、大功率半導體IGBT等半導體生產。
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
電子級多晶硅塊產品CZ與區(qū)熔級硅棒FZ代表公司最高技術水準。產品純度高達11N，且具有高致密性。其中區(qū)熔級產品為國內唯一能夠生產此產品的企
業(yè)，擁有明顯的進口替代能力。
應用領域：CZ塊硅產品主要應用于：半導體直拉單晶生產、特別是大規(guī)模集成電路（CPU、GPU等）用硅片生產，同時還可用于高品質光伏單晶生產領域。
FZ硅棒應用于分立器件、大功率半導體IGBT等半導體生產。
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
CE0A4416
CE0A4402
CE0A4405
CE0A4414
產品簡介 ：我公司引進美國REC Silicon FBR-B（第二代流化床）技術生產的粒狀多晶硅，是國內唯一具備大規(guī)模量產能力的粒狀硅生產企業(yè)。
FBR工藝綜合電耗較西門子法下降明顯，有利于降低產品成本、FBR反應器所具備的最長200天連續(xù)生產能力也遠優(yōu)于改良西門子法，產品經篩分及拋光，顆
粒表面光潔度高，雜質含量低。粒狀硅產品所具有的小顆粒、流動性等特點使其在下游應用過程中作用巨大。
應用領域：粒狀硅無需破碎可直接用于多晶鑄錠及單晶拉制。
FBR粒狀多晶硅運用在下游多晶鑄錠生產中，作為坩堝鋪底和填縫使用，將有利于增加坩堝裝載量，增加鑄錠企業(yè)單位產出，降低生產成本。
近年流行的單晶CCZ（連續(xù)直拉）生產過程中，粒狀硅具有西門子塊狀硅難以替代的便于連續(xù)加料等優(yōu)勢，非常適合大直徑單晶連續(xù)拉制使用。
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
FBR工藝綜合電耗較西門子法下降明顯，有利于降低產品成本、FBR反應器所具備的最長200天連續(xù)生產能力也遠優(yōu)于改良西門子法，產品經篩分及拋光，顆
粒表面光潔度高，雜質含量低。粒狀硅產品所具有的小顆粒、流動性等特點使其在下游應用過程中作用巨大。
應用領域：粒狀硅無需破碎可直接用于多晶鑄錠及單晶拉制。
FBR粒狀多晶硅運用在下游多晶鑄錠生產中，作為坩堝鋪底和填縫使用，將有利于增加坩堝裝載量，增加鑄錠企業(yè)單位產出，降低生產成本。
近年流行的單晶CCZ（連續(xù)直拉）生產過程中，粒狀硅具有西門子塊狀硅難以替代的便于連續(xù)加料等優(yōu)勢，非常適合大直徑單晶連續(xù)拉制使用。
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
CE0A3866
CE0A3862
CE0A3857
CE0A3846
CE0A3854
產品簡介 ：電子級高純硅烷氣作為公司硅烷生產部主要產品，純度高達99.9999%，在滿足超純硅生產部及FBR生產需要的同時，公司具備500MT/年硅烷氣充裝外售能
力。
硅烷氣產品采用代理商模式開展銷售工作，REC上海辦事處作為我公司合作方利用成熟的市場銷售渠道與操作經驗幫助我們更加順利的進入下游應用市場。
應用領域：
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
力。
硅烷氣產品采用代理商模式開展銷售工作，REC上海辦事處作為我公司合作方利用成熟的市場銷售渠道與操作經驗幫助我們更加順利的進入下游應用市場。
應用領域：
| 硅烷氣主要應用領域 | ||
| 產品 | 應用領域 | 具體應用 |
| 硅烷氣 | 太陽能電池 | 晶硅電池氮化硅減反射膜制備 |
| 平板顯示(TFT-LCD) | 氮化硅絕緣保護膜、非晶硅層膜 | |
| 半導體 | 外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積 | |
執(zhí)行標準：國家標準GB/T 12963- -2009 《硅多晶》
DSC01583
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